来源：环球网

【环球网财经综合报道】存储芯片的需求芯片涨价浪潮不仅未退，反而愈演愈烈。引爆严重在人工智能（AI）算力需求呈指数级爆发以及产能结构性紧缺的存储潮年双重驱动下，存储芯片行业正步入强劲的或现涨价周期。据行业预测，缺货到2027年，需求芯片全球存储市场甚至可能面临史上最严峻的引爆严重供应短缺局面。

HBM价格预计翻倍，存储潮年产能瓶颈成核心制约

研究机构DigiTimes在最新报告中指出，或现受AI需求激增及产能结构性瓶颈影响，缺货高带宽内存（HBM）的需求芯片价格预计将在2027年实现翻倍。行业消息人士透露，引爆严重下一代HBM4的存储潮年价格可能从2026年下半年约2美元/千兆比特（Gb）飙升至4至5美元，甚至更高。或现

这一剧烈涨价背后主要源于两大生产端的缺货硬约束：
1. 工艺难度极高：HBM4的制造周期长达4至6个月，且初期良品率偏低，严重限制了产能释放。
2. 晶圆占用率高：生产HBM所需的晶圆面积是普通DDR5内存的3倍，这大幅压缩了现有产线的产能空间，导致整体供应弹性不足。

巨头锁定长期协议，中小厂商恐遭“断供”

目前，全球HBM三大巨头——三星电子、SK海力士和美光科技，正通过与一级AI客户签订为期三到五年的长期供货协议，提前锁定全球内存供应份额。

DigiTimes预判，至2027年，全球近半数DRAM产能将被这些大客户包揽，中小厂商将难以获得有效的供货份额。供应链消息进一步证实，2027年AI硬件领域将持续存在根本性的供货缺口。随着2026年底芯片厂商议价权达到顶峰，那些未提前签订长期供货协议的消费电子企业，或将遭遇严重的内存断供危机。

此外，今年部分供应商的DDR5利润率已突破80%，这种高利润态势迫使芯片制造商在HBM定价上要求更高的溢价，以平衡成本与收益。

SK海力士美股上市溢价显著，市场信心强劲

存储芯片巨头的市场动作也印证了这一强劲趋势。美东时间7月10日，SK海力士通过美国存托凭证（ADR）在美股市场首次亮相。此次发行规模高达265亿美元，ADR价格大涨超12%，较韩股普通股股价存在显著溢价，显示出国际资本对存储行业前景的高度认可。

通用存储产品同步涨价，原厂产能早已售罄

除了高端HBM，通用存储产品也在持续涨价。全球第二大存储模组企业——威刚董事长陈立白近日透露，2026年第三季度存储芯片将继续涨价。

陈立白表示，存储器原厂已通知：
* DRAM合约价：第三季度将上涨20%至30%；
* NAND Flash合约价：将调涨35%至40%。

当前，三大存储原厂2026年绝大部分产能早已提前订满售出，不少客户已经开始洽谈2027年及更长期的供货合约，市场供需紧张态势可见一斑。

多家机构上调预期，涨价趋势确立

多家权威机构近期发布的报告均预计存储芯片价格将继续上涨：

• TrendForce（集邦咨询）：最新报告显示，第三季度整体DRAM格局持续极度紧缺，预计合约价将季增13%—18%；NAND Flash方面，主要需求仍由AI推理与大型数据中心建设支撑，预计整体NAND Flash合约价将季增10%—15%，涨价幅度较前几季明显缩减。
• 瑞银（UBS）：在7月发布的最新报告中大幅上调了存储芯片价格预期。报告称，DRAM报价会在第三季度上涨32%（此前预期17%）、第四季度再涨18%（此前预期12%）；NAND Flash报价预计会在第三季度上涨30%，第四季度将再涨12%。

（文馨）