快科技7月11日讯在高端存储芯片HBM（高带宽内存）赛道，量产长鑫存储正加速缩小与国际巨头的倒计差距。目前，时长上星士技术差长鑫已推出HBM3样件，鑫追并向华为等国内AI芯片厂商供货，海力产品正处于量产前的距缩关键验证阶段。

根据规划，量产长鑫存储目标在2027年实现12层HBM3E的倒计量产。若该计划如期落地，时长上星士技术差长鑫与三星电子、鑫追SK海力士、海力美光三大头部存储厂商的距缩技术代差将大幅缩短至2到3年。

技术追平：从“多代落后”到“仅差3年”

在HBM3架构标准上，量产长鑫存储已实现与三星和SK海力士的倒计技术追平。这意味着中韩两国在HBM领域的时长上星士技术差差距，已从此前落后的多个世代，急剧压缩至仅3年。

行业内部消息指出，长鑫在技术层面已具备HBM3量产能力，尽管良率仍是当前制约大规模出货的主要因素，但技术代差已不复存在。此前，长鑫采取了跨代技术路径，跳过中间环节直接从DDR4切入HBM3开发，这一策略显著加速了技术追赶进程。

产能扩张：上海新厂投产，HBM专用产能达6万片/月

产能扩张是长鑫存储支撑HBM业务的核心底气。目前，长鑫在合肥运营两座12英寸DRAM工厂，并在北京拥有一座工厂，总晶圆产能约为每月30万片。

此外，位于上海的新工厂计划于2027年正式投产。届时，长鑫的整体产能将达到现有水平的两倍以上。

值得注意的是，长鑫已将DRAM总产能的约20%倾斜至HBM制造，预计HBM专用月产能可达6万片晶圆，为后续大规模供货提供坚实保障。

市场表现：2026年Q1营收激增，全球排名升至第四

市场份额的持续攀升印证了长鑫存储的成长势头。据CFM闪存市场数据显示，2026年第一季度，长鑫存储DRAM销售收入达到73.09亿美元，环比大幅增长115.1%。

凭借强劲的增长，长鑫存储的全球市场份额升至7.7%，排名跃升至全球第四，进一步巩固了其在全球存储市场中的重要地位。